测试服务

长电科技的认证质量测试中心,提供多种可靠性试验,包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验,和全方位的故障分析服务。

长电科技已经获得中国合格评定国家认可委员会的实验室认可证书(CNAS认证)

可靠性测试:

项目标准应用
光学显微镜   检查样品外观,模具表面,裂纹,污染,划痕,氧化层缺陷等。
X射线   检查键合线,芯片连接和引线框架,空隙等。
* SAT 杰德J-STD-035-1999 检查分层,包装裂纹,树脂中的模具裂纹 空隙,模具附着不良等。
JUNO测试   二极管,晶体管,MOS或三端稳压器测试的半导体参数测量。
* IV曲线追踪器 GB / T 13973-2012 MOS,BJT或IC的半导体参数测量。与好的单位相比发现差异。
存托凭证   TDR用于测量注入传输线中的脉冲的反射和时间延迟。故障点定位,阻抗测量,断路/短路测试。
DE-CAP   去除化合物,裸露裸片,观察裸片或引线键合缺陷 。
探针测试   观察模具的电气参数或特性曲线。
火山口测试   去除焊盘区域的顶部金属层,然后观察衬垫是否损坏。
离子铣削系统   机械抛光的精细加工,微小的裂纹和空隙(对于其他抛光方法而言是困难的),
多层结构界面,耐磨性,很容易损坏。
扫描电子显微镜   各种样品的平面图和横截面显微组织检查
多层样品检查和精确的临界尺寸测量
EDX   对指定的微观结构,样品表面的分析元素进行定性和半定量分析。
RIE   逐层检查/检查,例如蚀刻残留物,金属裂纹或破裂,氧化物缺陷和不良的通孔连接。

失效分析:

项目标准应用
光学显微镜   检查样品外观,模具表面,裂纹,污染,划痕,氧化层缺陷等。
X射线   检查键合线,芯片连接和引线框架,空隙等。
* SAT 杰德J-STD-035-1999 检查分层,包装裂纹,树脂中的模具裂纹 空隙,模具附着不良等。
JUNO测试   二极管,晶体管,MOS或三端稳压器测试的半导体参数测量。
* IV曲线追踪器 GB / T 13973-2012 MOS,BJT或IC的半导体参数测量。与好的单位相比发现差异。
存托凭证   TDR用于测量注入传输线中的脉冲的反射和时间延迟。故障点定位,阻抗测量,断路/短路测试。
DE-CAP   去除化合物,裸露裸片,观察裸片或引线键合缺陷 。
探针测试   观察模具的电气参数或特性曲线。
火山口测试   去除焊盘区域的顶部金属层,然后观察衬垫是否损坏。
离子铣削系统   机械抛光的精细加工,微小的裂纹和空隙(对于其他抛光方法而言是困难的),
多层结构界面,耐磨性,很容易损坏。
扫描电子显微镜   各种样品的平面图和横截面显微组织检查
多层样品检查和精确的临界尺寸测量
EDX   对指定的微观结构,样品表面的分析元素进行定性和半定量分析。
RIE   逐层检查/检查,例如蚀刻残留物,金属裂纹或破裂,氧化物缺陷和不良的通孔连接。